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LM3S1G21-IBZ80-A1T

LM3S1G21-IBZ80-A1T

僅供參考

型號 LM3S1G21-IBZ80-A1T
PNEDA編號 LM3S1G21-IBZ80-A1T
描述 IC MCU 32BIT 384KB FLASH 108BGA
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 3,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LM3S1G21-IBZ80-A1T資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LM3S1G21-IBZ80-A1T
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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LM3S1G21-IBZ80-A1T規格

制造商
系列Stellaris® ARM® Cortex®-M3S 1000
核心處理器ARM® Cortex®-M3
核心大小32-Bit
速度80MHz
連接性EBI/EMI, I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SPI, SSI, UART/USART
外圍設備Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT
I / O數量67
程序存儲器大小384KB (384K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小64K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)1.235V ~ 1.365V
數據轉換器A/D 8x12b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱108-LFBGA
供應商設備包裝108-BGA (10x10)

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連接性

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外圍設備

DMA, LVD, POR, PWM, WDT

I / O數量

64

程序存儲器大小

160KB (160K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

16K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.7V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 21x8/10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

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程序存儲器大小

64KB (64K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

2K x 8

RAM大小

4K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3.13V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 12x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

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I / O數量

111

程序存儲器大小

1.0625MB (1.0625M x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

64K x 8

RAM大小

72K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 40x8/10b SAR; D/A 2x8b R2R

振蕩器類型

External

工作溫度

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安裝類型

-

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31

程序存儲器大小

192KB (192K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

8K x 8

RAM大小

16K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.6V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 10x8/10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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