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LM3S1958-IBZ50-A2T

LM3S1958-IBZ50-A2T

僅供參考

型號 LM3S1958-IBZ50-A2T
PNEDA編號 LM3S1958-IBZ50-A2T
描述 IC MCU 32BIT 256KB FLASH 108BGA
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 18 - 六月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LM3S1958-IBZ50-A2T資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LM3S1958-IBZ50-A2T
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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LM3S1958-IBZ50-A2T規格

制造商
系列Stellaris® ARM® Cortex®-M3S 1000
核心處理器ARM® Cortex®-M3
核心大小32-Bit
速度50MHz
連接性I²C, IrDA, Microwire, SPI, SSI, UART/USART
外圍設備Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
I / O數量52
程序存儲器大小256KB (256K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小64K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.25V ~ 2.75V
數據轉換器A/D 8x10b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱108-LFBGA
供應商設備包裝108-BGA (10x10)

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核心大小

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速度

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連接性

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外圍設備

POR, PWM, WDT

I / O數量

53

程序存儲器大小

24KB (24K x 8)

程序存儲器類型

Mask ROM

EEPROM大小

-

RAM大小

768 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.2V ~ 6V

數據轉換器

A/D 8x10b

振蕩器類型

External

工作溫度

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程序存儲器大小

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程序存儲器類型

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EEPROM大小

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RAM大小

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電壓-電源(Vcc / Vdd)

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數據轉換器

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核心處理器

-

核心大小

-

速度

-

連接性

-

外圍設備

-

I / O數量

-

程序存儲器大小

-

程序存儲器類型

-

EEPROM大小

-

RAM大小

-

電壓-電源(Vcc / Vdd)

-

數據轉換器

-

振蕩器類型

-

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-

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-

外圍設備

POR, WDT

I / O數量

13

程序存儲器大小

896B (512 x 14)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

64 x 8

RAM大小

36 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

4V ~ 6V

數據轉換器

-

振蕩器類型

External

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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I / O數量

8

程序存儲器大小

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程序存儲器類型

OTP

EEPROM大小

-

RAM大小

256 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

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數據轉換器

-

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