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LM3S1918-IBZ50-A2

LM3S1918-IBZ50-A2

僅供參考

型號 LM3S1918-IBZ50-A2
PNEDA編號 LM3S1918-IBZ50-A2
描述 IC MCU 32BIT 256KB FLASH 108BGA
制造商 Texas Instruments
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庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LM3S1918-IBZ50-A2資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LM3S1918-IBZ50-A2
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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LM3S1918-IBZ50-A2規格

制造商
系列Stellaris® ARM® Cortex®-M3S 1000
核心處理器ARM® Cortex®-M3
核心大小32-Bit
速度50MHz
連接性I²C, IrDA, Microwire, SPI, SSI, UART/USART
外圍設備Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
I / O數量52
程序存儲器大小256KB (256K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小64K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.25V ~ 2.75V
數據轉換器A/D 8x10b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱108-LFBGA
供應商設備包裝108-BGA (10x10)

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程序存儲器大小

256KB (256K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

4K x 8

RAM大小

64K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.71V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 46x16b; D/A 2x12b

振蕩器類型

Internal

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17

程序存儲器大小

16KB (8K x 16)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

256 x 8

RAM大小

512 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.3V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 12x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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程序存儲器大小

-

程序存儲器類型

-

EEPROM大小

-

RAM大小

-

電壓-電源(Vcc / Vdd)

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振蕩器類型

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工作溫度

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-

程序存儲器大小

254KB (254K x 8)

程序存儲器類型

Mask ROM

EEPROM大小

-

RAM大小

8K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.7V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 8x10b; D/A 3x8b

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