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L6221CD

L6221CD

僅供參考

型號 L6221CD
PNEDA編號 L6221CD
描述 TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 12 - 七月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

L6221CD資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號L6221CD
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
L6221CD, L6221CD數據表 (總頁數: 15, 大小: 1,549.54 KB)
PDFL6221CD013TR數據表 封面
L6221CD013TR數據表 頁面 2 L6221CD013TR數據表 頁面 3 L6221CD013TR數據表 頁面 4 L6221CD013TR數據表 頁面 5 L6221CD013TR數據表 頁面 6 L6221CD013TR數據表 頁面 7 L6221CD013TR數據表 頁面 8 L6221CD013TR數據表 頁面 9 L6221CD013TR數據表 頁面 10 L6221CD013TR數據表 頁面 11

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L6221CD規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型4 NPN Darlington (Quad)
當前-集電極(Ic)(最大值)1.2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝20-SO

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

4 NPN Darlington (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 4V

功率-最大

4W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 10V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V, 12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V

功率-最大

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