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KSH2955TF

KSH2955TF

僅供參考

型號 KSH2955TF
PNEDA編號 KSH2955TF
描述 TRANS PNP 60V 10A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSH2955TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSH2955TF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSH2955TF, KSH2955TF數據表 (總頁數: 7, 大小: 167.3 KB)
PDFKSH2955TM數據表 封面
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KSH2955TF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic8V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 4A, 4V
功率-最大1.75W
頻率-過渡2MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

255mV @ 50mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 200mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

2µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

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Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 200mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

135MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 250mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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NPN + Diode (Isolated)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

210mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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