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KSH112TM

KSH112TM

僅供參考

型號 KSH112TM
PNEDA編號 KSH112TM
描述 TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSH112TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSH112TM
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSH112TM, KSH112TM數據表 (總頁數: 8, 大小: 175.04 KB)
PDFKSH112GTM_SB82051數據表 封面
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KSH112TM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)20µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 2A, 3V
功率-最大1.75W
頻率-過渡25MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

275mV @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

3W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

5µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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安裝類型

Through Hole

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