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KSH112GTM_NB82051

KSH112GTM_NB82051

僅供參考

型號 KSH112GTM_NB82051
PNEDA編號 KSH112GTM_NB82051
描述 TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 28 - 七月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSH112GTM_NB82051資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSH112GTM_NB82051
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSH112GTM_NB82051, KSH112GTM_NB82051數據表 (總頁數: 8, 大小: 175.04 KB)
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KSH112GTM_NB82051規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 40mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)20µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 2A, 3V
功率-最大1.75W
頻率-過渡25MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 5A, 4V

功率-最大

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頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 7A, 15A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 4A, 2V

功率-最大

115W

頻率-過渡

6MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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