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KSD882YS

KSD882YS

僅供參考

型號 KSD882YS
PNEDA編號 KSD882YS
描述 TRANS NPN 30V 3A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 25,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSD882YS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSD882YS
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSD882YS, KSD882YS數據表 (總頁數: 7, 大小: 215 KB)
PDFKSD882YSTSSTU數據表 封面
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KSD882YS規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 1A, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡90MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 4mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

20µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 2V

功率-最大

15W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10µA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

25mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 10mA, 2V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

420MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

275V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.25A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 10A, 3V

功率-最大

6W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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