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KSD880O

KSD880O

僅供參考

型號 KSD880O
PNEDA編號 KSD880O
描述 TRANS NPN 60V 3A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSD880O資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSD880O
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSD880O, KSD880O數據表 (總頁數: 6, 大小: 178.14 KB)
PDFKSD880Y數據表 封面
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KSD880O規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 500mA, 5V
功率-最大30W
頻率-過渡3MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

*

晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

6-TSSOP

BC546BTF

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

STMicroelectronics

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

230V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

55 @ 1A, 5V

功率-最大

150W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

TO-264

30A02MH-TL-H

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 10mA, 2V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

520MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

3-MCPH

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