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KSD288YTU

KSD288YTU

僅供參考

型號 KSD288YTU
PNEDA編號 KSD288YTU
描述 TRANS NPN 55V 3A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSD288YTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSD288YTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSD288YTU, KSD288YTU數據表 (總頁數: 4, 大小: 44.73 KB)
PDFKSD288OTU數據表 封面
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KSD288YTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)55V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)50µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 500mA, 5V
功率-最大25W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 100mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 10V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

85MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 5A, 20A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5A, 4V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

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工作溫度

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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