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KSD1621STF

KSD1621STF

僅供參考

型號 KSD1621STF
PNEDA編號 KSD1621STF
描述 TRANS NPN 25V 2A SOT-89
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 7 - 七月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSD1621STF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSD1621STF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSD1621STF, KSD1621STF數據表 (總頁數: 6, 大小: 115.11 KB)
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KSD1621STF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 75mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce140 @ 100mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡150MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝SOT-89-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

30µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 5V

功率-最大

30W

頻率-過渡

8MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 3A, 4V

功率-最大

80W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 4A, 10V

功率-最大

60W

頻率-過渡

6MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

6 @ 2A, 1V

功率-最大

75W

頻率-過渡

13MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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