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KSC945CGBU

KSC945CGBU

僅供參考

型號 KSC945CGBU
PNEDA編號 KSC945CGBU
描述 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 166,686
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC945CGBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC945CGBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC945CGBU, KSC945CGBU數據表 (總頁數: 7, 大小: 241.38 KB)
PDFKSC945OTA數據表 封面
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KSC945CGBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 1mA, 6V
功率-最大250mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 1mA, 500mV

功率-最大

400mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 1V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 250mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 2A, 2V

功率-最大

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