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KSC5502DTTU

KSC5502DTTU

僅供參考

型號 KSC5502DTTU
PNEDA編號 KSC5502DTTU
描述 TRANS NPN 600V 2A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 61,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC5502DTTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC5502DTTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC5502DTTU, KSC5502DTTU數據表 (總頁數: 13, 大小: 438.96 KB)
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KSC5502DTTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 200mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce4 @ 1A, 1V
功率-最大50W
頻率-過渡11MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

600 @ 2mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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