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KSC5042FYDTU

KSC5042FYDTU

僅供參考

型號 KSC5042FYDTU
PNEDA編號 KSC5042FYDTU
描述 TRANS NPN 900V 0.1A TO220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC5042FYDTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC5042FYDTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC5042FYDTU, KSC5042FYDTU數據表 (總頁數: 4, 大小: 56.63 KB)
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KSC5042FYDTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)900V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic5V @ 4mA, 20mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 10mA, 5V
功率-最大6W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
供應商設備包裝TO-220F-3 (Y-Forming)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

-

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

150mW

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300MHz

工作溫度

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Surface Mount

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

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