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KSC5042FTU

KSC5042FTU

僅供參考

型號 KSC5042FTU
PNEDA編號 KSC5042FTU
描述 TRANS NPN 900V 0.1A TO220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC5042FTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC5042FTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC5042FTU, KSC5042FTU數據表 (總頁數: 4, 大小: 56.63 KB)
PDFKSC5042FYDTU數據表 封面
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KSC5042FTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)900V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic5V @ 4mA, 20mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 10mA, 5V
功率-最大6W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F

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150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 10mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5000 @ 10A, 4V

功率-最大

130W

頻率-過渡

45MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 150mA, 10V

功率-最大

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工作溫度

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

功率-最大

20W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-126-3

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

1W

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安裝類型

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制造商

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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