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KSC3503DS

KSC3503DS

僅供參考

型號 KSC3503DS
PNEDA編號 KSC3503DS
描述 TRANS NPN 300V 0.1A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 12,864
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 19 - 七月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC3503DS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC3503DS
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC3503DS, KSC3503DS數據表 (總頁數: 7, 大小: 245.74 KB)
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KSC3503DS規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 10mA, 10V
功率-最大7W
頻率-過渡150MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 500mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

330MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

255mV @ 50mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 200mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

380 @ 2mA, 5V

功率-最大

-

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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