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KSC2682OS

KSC2682OS

僅供參考

型號 KSC2682OS
PNEDA編號 KSC2682OS
描述 TRANS NPN 180V 0.1A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC2682OS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC2682OS
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC2682OS, KSC2682OS數據表 (總頁數: 5, 大小: 48.59 KB)
PDFKSC2682YSTU數據表 封面
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KSC2682OS規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)180V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 5V
功率-最大1.2W
頻率-過渡200MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 3A, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 80mA, 16A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 10A, 3V

功率-最大

150W

頻率-過渡

-

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

TO-204AA, TO-3

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 6mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 10V

功率-最大

650mW

頻率-過渡

38MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 1mA, 6V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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