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KSC1675CRBU

KSC1675CRBU

僅供參考

型號 KSC1675CRBU
PNEDA編號 KSC1675CRBU
描述 TRANS NPN 30V 0.05A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 15 - 七月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC1675CRBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC1675CRBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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KSC1675CRBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 1mA, 6V
功率-最大250mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

340mV @ 270mA, 5.4A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2A, 2V

功率-最大

2.5W

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

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600V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 20mA, 5V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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