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KSC1393RBU

KSC1393RBU

僅供參考

型號 KSC1393RBU
PNEDA編號 KSC1393RBU
描述 RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 11 - 七月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC1393RBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC1393RBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
KSC1393RBU, KSC1393RBU數據表 (總頁數: 4, 大小: 41.53 KB)
PDFKSC1393YTA數據表 封面
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KSC1393RBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
頻率-過渡700MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)2dB ~ 3dB @ 200MHz
增益20dB ~ 24dB
功率-最大250mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 2mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

10dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

9dB

功率-最大

1.2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.15dB @ 1GHz

增益

13.5dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2mA, 4V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

2GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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