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KSC1187YBU

KSC1187YBU

僅供參考

型號 KSC1187YBU
PNEDA編號 KSC1187YBU
描述 TRANS NPN 20V 0.03A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 14 - 七月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC1187YBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC1187YBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSC1187YBU, KSC1187YBU數據表 (總頁數: 4, 大小: 48.52 KB)
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KSC1187YBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 2mA, 10V
功率-最大250mW
頻率-過渡700MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

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頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

2W

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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