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KSB596Y

KSB596Y

僅供參考

型號 KSB596Y
PNEDA編號 KSB596Y
描述 TRANS PNP 80V 4A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,996
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSB596Y資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSB596Y
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSB596Y, KSB596Y數據表 (總頁數: 6, 大小: 228.97 KB)
PDFKSB596O數據表 封面
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KSB596Y規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.7V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)70µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 500mA, 5V
功率-最大30W
頻率-過渡3MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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NPN

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

800V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 600mA, 5V

功率-最大

60W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1A, 1V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

105MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

265mW

頻率-過渡

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工作溫度

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