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KSB546O

KSB546O

僅供參考

型號 KSB546O
PNEDA編號 KSB546O
描述 TRANS PNP 150V 2A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 27 - 七月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSB546O資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSB546O
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSB546O, KSB546O數據表 (總頁數: 5, 大小: 242.8 KB)
PDFKSB546O數據表 封面
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KSB546O規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)50µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 400mA, 10V
功率-最大25W
頻率-過渡5MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 15mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 3V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

320MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 500mA, 2V

功率-最大

10W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

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安裝類型

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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