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KSB1121STF

KSB1121STF

僅供參考

型號 KSB1121STF
PNEDA編號 KSB1121STF
描述 TRANS PNP 25V 2A SOT-89
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSB1121STF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSB1121STF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSB1121STF, KSB1121STF數據表 (總頁數: 5, 大小: 430.67 KB)
PDFKSB1121STF數據表 封面
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KSB1121STF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 75mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce140 @ 100mA, 2V
功率-最大1.3W
頻率-過渡150MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝SOT-89-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 1.25mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 250mA, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

-

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安裝類型

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 5A, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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