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KSB1017YTU

KSB1017YTU

僅供參考

型號 KSB1017YTU
PNEDA編號 KSB1017YTU
描述 TRANS PNP 80V 4A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 18,504
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSB1017YTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSB1017YTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSB1017YTU, KSB1017YTU數據表 (總頁數: 5, 大小: 213.05 KB)
PDFKSB1017YTU數據表 封面
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KSB1017YTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.7V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)30µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 500mA, 5V
功率-最大25W
頻率-過渡9MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

50mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 1.5A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-SMD, No Lead

供應商設備包裝

U4

KSC3552RTU

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

800V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 1.2A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 800mA, 5V

功率-最大

150W

頻率-過渡

15MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

NSVMMBT5088LT3G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100µA, 5V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

PN2222TF

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10mV

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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