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KSA643GBU

KSA643GBU

僅供參考

型號 KSA643GBU
PNEDA編號 KSA643GBU
描述 TRANS PNP 20V 0.5A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 6 - 七月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSA643GBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSA643GBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSA643GBU, KSA643GBU數據表 (總頁數: 7, 大小: 337.13 KB)
PDFKSA643YBU數據表 封面
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KSA643GBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)200nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 1V
功率-最大500mW
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 500mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 500mA, 2V

功率-最大

20W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 3A, 1V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

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工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

8V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

1.75W

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