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JANTXV2N6674

JANTXV2N6674

僅供參考

型號 JANTXV2N6674
PNEDA編號 JANTXV2N6674
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N6674資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N6674
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N6674規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

330mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 5V

功率-最大

2.1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

310mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 500mA, 10V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

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