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JANTXV2N6052

JANTXV2N6052

僅供參考

型號 JANTXV2N6052
PNEDA編號 JANTXV2N6052
描述 TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N6052資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N6052
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N6052規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/501
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)12A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 120mA, 12A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 6A, 3V
功率-最大150W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-3

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

800 @ 500mA, 4V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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