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JANTXV2N5663

JANTXV2N5663

僅供參考

型號 JANTXV2N5663
PNEDA編號 JANTXV2N5663
描述 TRANS NPN 300V 2A TO-5
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N5663資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N5663
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N5663規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/454
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 400mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)200nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 500mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-5

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 1V

功率-最大

3.2W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 2.5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 1V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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