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JANTXV2N5339

JANTXV2N5339

僅供參考

型號 JANTXV2N5339
PNEDA編號 JANTXV2N5339
描述 TRANS NPN 100V 5A TO39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N5339資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N5339
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N5339規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/560
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 2A, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39 (TO-205AD)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 30mA, 10V

功率-最大

625mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

340mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

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5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 5V

功率-最大

1W

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