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JANTXV2N4150S

JANTXV2N4150S

僅供參考

型號 JANTXV2N4150S
PNEDA編號 JANTXV2N4150S
描述 TRANS NPN 70V 10A TO-39
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N4150S資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N4150S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N4150S規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/394
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)70V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 1A, 10A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 5A, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39 (TO-205AD)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 5V

功率-最大

450mW

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 500mA, 1V

功率-最大

420mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 60mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

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150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 2mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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