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JANTXV2N3766

JANTXV2N3766

僅供參考

型號 JANTXV2N3766
PNEDA編號 JANTXV2N3766
描述 TRANS NPN 60V 4A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,178
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N3766資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N3766
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N3766規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/518
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)500µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 500mA, 5V
功率-最大25W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-213AA, TO-66-2
供應商設備包裝TO-66

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

355mV @ 500mA, 5A

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 2.5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 1V

功率-最大

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工作溫度

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