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JANTXV2N3485A

JANTXV2N3485A

僅供參考

型號 JANTXV2N3485A
PNEDA編號 JANTXV2N3485A
描述 TRANS PNP 60V 0.6A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N3485A資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N3485A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N3485A規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/392
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 150mA, 10V
功率-最大400mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-46 (TO-206AB)

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

180mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 2V

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當前-集電極截止(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 5A, 4V

功率-最大

80W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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