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JANTXV2N3439L

JANTXV2N3439L

僅供參考

型號 JANTXV2N3439L
PNEDA編號 JANTXV2N3439L
描述 TRANS NPN 350V 1A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 8 - 五月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N3439L資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N3439L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N3439L規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/368
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)350V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 4mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)2µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 20mA, 10V
功率-最大800mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-5

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

290mV @ 20mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 800mA, 1.5 V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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Nexperia USA Inc.

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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