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JANTXV2N2369AUB

JANTXV2N2369AUB

僅供參考

型號 JANTXV2N2369AUB
PNEDA編號 JANTXV2N2369AUB
描述 TRANS NPN 15V 4UB
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,070
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N2369AUB資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N2369AUB
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N2369AUB規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/317
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic450mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)400nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 100mA, 1V
功率-最大400mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD, No Lead
供應商設備包裝UB

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

360MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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安裝類型

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

310mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 5V

功率-最大

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