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JANTX2N6251T1

JANTX2N6251T1

僅供參考

型號 JANTX2N6251T1
PNEDA編號 JANTX2N6251T1
描述 TRANS NPN 350V 10A TO-3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,768
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N6251T1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N6251T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTX2N6251T1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/510
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)350V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1.67A, 10A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce6 @ 10A, 3V
功率-最大6W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
供應商設備包裝TO-254AA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 500mA, 4V

功率-最大

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500mV @ 10mA, 100mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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