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JANTX2N3739

JANTX2N3739

僅供參考

型號 JANTX2N3739
PNEDA編號 JANTX2N3739
描述 TRANS NPN 300V 1A TO-66
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $5,660.8372
50 ---------- $5,395.4855
100 ---------- $5,130.1338
200 ---------- $4,864.7820
400 ---------- $4,643.6556
500 ---------- $4,422.5291
庫存 39
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTX2N3739資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTX2N3739
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTX2N3739規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/402
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 25mA, 250mA
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 250mA, 10V
功率-最大20W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 2A, 5V

功率-最大

25W

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 500mA, 5V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 3V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2.5A, 5V

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