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JANS2N6250T1

JANS2N6250T1

僅供參考

型號 JANS2N6250T1
PNEDA編號 JANS2N6250T1
描述 TRANS NPN 275V 10A TO-3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 18 - 七月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANS2N6250T1資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANS2N6250T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANS2N6250T1規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/510
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)275V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1.25A, 10A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce8 @ 10A, 3V
功率-最大6W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
供應商設備包裝TO-254AA

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400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 500mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

14 @ 500mA, 2V

功率-最大

20W

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

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5A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 200mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

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