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JANS2N2369AUBC

JANS2N2369AUBC

僅供參考

型號 JANS2N2369AUBC
PNEDA編號 JANS2N2369AUBC
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,304
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANS2N2369AUBC資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANS2N2369AUBC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANS2N2369AUBC規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/317
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic450mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)400nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 100mA, 1V
功率-最大360mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, No Lead
供應商設備包裝3-SMD

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 12mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 3A, 3V

功率-最大

60W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

60W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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625mW

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50MHz

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