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JAN2N6306

JAN2N6306

僅供參考

型號 JAN2N6306
PNEDA編號 JAN2N6306
描述 TRANS NPN 250V 8A TO3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,478
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N6306資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N6306
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N6306規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/498
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic5V @ 2A, 8A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 3A, 5V
功率-最大125W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-204AA (TO-3)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 500mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 2A, 5V

功率-最大

70W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

420mV @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2A, 2V

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200mA

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

300mW

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300MHz

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 3A, 2V

功率-最大

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