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JAN2N3637

JAN2N3637

僅供參考

型號 JAN2N3637
PNEDA編號 JAN2N3637
描述 TRANS PNP 175V 1A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N3637資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N3637
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N3637規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/357
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)175V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 50mA, 10V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 100mA, 1V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

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-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 2V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 3V

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