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JAN2N3440L

JAN2N3440L

僅供參考

型號 JAN2N3440L
PNEDA編號 JAN2N3440L
描述 TRANS NPN 250V 1A TO5
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N3440L資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N3440L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N3440L規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/368
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 4mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)2µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 20mA, 10V
功率-最大800mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-5

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

400MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.8V @ 40mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 500mA, 10V

功率-最大

500mW

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