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JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

僅供參考

型號 JAN1N5809URS
PNEDA編號 JAN1N5809URS
描述 DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,370
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 13 - 十一月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N5809URS資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N5809URS
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N5809URS規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/477
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果875mV @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F60pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, B
供應商設備包裝B, SQ-MELF
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

490mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

134pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

17pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

160ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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供應商設備包裝

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制造商

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1.5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

70µA @ 20V

電容@ Vr,F

50pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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