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JAN1N5615US

JAN1N5615US

僅供參考

型號 JAN1N5615US
PNEDA編號 JAN1N5615US
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 2 - 五月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N5615US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N5615US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N5615US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/429
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, A
供應商設備包裝D-5A
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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400V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-216AA

供應商設備包裝

Powermite

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

SRAF10150HC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack

供應商設備包裝

ITO-220AC

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/118

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

225V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25nA @ 225V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

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