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J174,126

J174,126

僅供參考

型號 J174,126
PNEDA編號 J174-126
描述 JFET P-CH 30V 400MW TO92-3
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J174資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J174,126
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J174, J174數據表 (總頁數: 6, 大小: 30.98 KB)
PDFJ176數據表 封面
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J174規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)20mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID5V @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)85 Ohms
功率-最大400mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92

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NXP USA Inc.

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

8mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

250mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2.5V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

225mW

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.2mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

180mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

電阻-RDS(On)

200 Ohms

功率-最大

200mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

500mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4.5V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

3 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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