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J110,126

J110,126

僅供參考

型號 J110,126
PNEDA編號 J110-126
描述 JFET N-CH 25V 0.4W SOT54
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,070
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J110資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J110,126
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J110, J110數據表 (總頁數: 7, 大小: 34.31 KB)
PDFJ110數據表 封面
J110數據表 頁面 2 J110數據表 頁面 3 J110數據表 頁面 4 J110數據表 頁面 5 J110數據表 頁面 6 J110數據表 頁面 7

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J110規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)25V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)10mA @ 5V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID4V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds30pF @ 0V
電阻-RDS(On)18 Ohms
功率-最大400mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

8mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

80 Ohms

功率-最大

360mW

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

20V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

150µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

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FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27pF @ 15V

電阻-RDS(On)

175 Ohms

功率-最大

500mW

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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