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IXXH30N65B4D1

IXXH30N65B4D1

僅供參考

型號 IXXH30N65B4D1
PNEDA編號 IXXH30N65B4D1
描述 IGBT
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,202
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 28 - 七月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXXH30N65B4D1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXXH30N65B4D1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IXXH30N65B4D1規格

制造商IXYS
系列XPT™, GenX4™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)146A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 30A
功率-最大230W
開關能量1.04mJ (on), 730µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用52nC
25°C時的Td(開/關)20ns/150ns
測試條件400V, 30A, 15Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)65ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD

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650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

170A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.88V @ 15V, 30A

功率-最大

30W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

40.3nC

25°C時的Td(開/關)

11.2ns/40.8ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 25A

功率-最大

192.3W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 9A

功率-最大

60W

開關能量

100µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 70A

功率-最大

160W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

86nC

25°C時的Td(開/關)

39ns/120ns

測試條件

196V, 25A, 10Ohm

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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600V

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17A

電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 16A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

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門禁費用

67nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

480V, 16A, 23Ohm, 15V

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