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IXTU2N80P

IXTU2N80P

僅供參考

型號 IXTU2N80P
PNEDA編號 IXTU2N80P
描述 MOSFET N-CH TO-251
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 9 - 五月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTU2N80P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTU2N80P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTU2N80P, IXTU2N80P數據表 (總頁數: 5, 大小: 888.15 KB)
PDFIXTU2N80P數據表 封面
IXTU2N80P數據表 頁面 2 IXTU2N80P數據表 頁面 3 IXTU2N80P數據表 頁面 4 IXTU2N80P數據表 頁面 5

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IXTU2N80P規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.6nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds440pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)70W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-251
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PLUS247™-3

包裝/箱

TO-247-3

IRF3711ZS

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

92A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVMFS5C406NWFT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Ta), 353A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 280µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7288pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 179W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2154pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

37.9W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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