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IXGT39N60BD1

IXGT39N60BD1

僅供參考

型號 IXGT39N60BD1
PNEDA編號 IXGT39N60BD1
描述 IGBT 600V 76A 200W TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGT39N60BD1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGT39N60BD1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGT39N60BD1, IXGT39N60BD1數據表 (總頁數: 5, 大小: 154.32 KB)
PDFIXGT39N60BD1數據表 封面
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IXGT39N60BD1規格

制造商IXYS
系列HiPerFAST™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)76A
電流-集電極脈沖(Icm)152A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.7V @ 15V, 39A
功率-最大200W
開關能量4mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用110nC
25°C時的Td(開/關)25ns/250ns
測試條件480V, 39A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)25ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268

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當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

105nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.35µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

i4-Pac™-5 (3 Leads)

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 40A

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開關能量

828µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/124ns

測試條件

400V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

240A

電流-集電極脈沖(Icm)

480A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 160A

功率-最大

882W

開關能量

12.4mJ (on), 5.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

53ns/98ns

測試條件

400V, 160A, 15V

反向恢復時間(trr)

132ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 24A

功率-最大

250W

開關能量

520µJ (on), 240µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

70nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/73ns

測試條件

400V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

170ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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