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IXGT32N90B2

IXGT32N90B2

僅供參考

型號 IXGT32N90B2
PNEDA編號 IXGT32N90B2
描述 IGBT 900V 64A 300W TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 23 - 七月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGT32N90B2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGT32N90B2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGT32N90B2, IXGT32N90B2數據表 (總頁數: 7, 大小: 202.06 KB)
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IXGT32N90B2規格

制造商IXYS
系列HiPerFAST™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)900V
當前-集電極(Ic)(最大值)64A
電流-集電極脈沖(Icm)200A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 32A
功率-最大300W
開關能量2.6mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用89nC
25°C時的Td(開/關)20ns/260ns
測試條件720V, 32A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 6A

功率-最大

100W

開關能量

330µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 75A

功率-最大

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 30A

功率-最大

187W

開關能量

1.38mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

165nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/207ns

測試條件

400V, 30A, 10.5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

38ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

130A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

8V @ 4V, 130A

功率-最大

2W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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8-SOIC

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