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IXGN50N60B

IXGN50N60B

僅供參考

型號 IXGN50N60B
PNEDA編號 IXGN50N60B
描述 IGBT 75A 600V SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGN50N60B資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGN50N60B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IXGN50N60B, IXGN50N60B數據表 (總頁數: 4, 大小: 135.01 KB)
PDFIXGN50N60B數據表 封面
IXGN50N60B數據表 頁面 2 IXGN50N60B數據表 頁面 3 IXGN50N60B數據表 頁面 4

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IXGN50N60B規格

制造商IXYS
系列HiPerFAST™
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
功率-最大300W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)200µA
輸入電容(Cies)@ Vce4.1nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227B

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功率-最大

125W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

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E2

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

450W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

10.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1500A

功率-最大

17000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.85V @ 15V, 1500A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

630A

功率-最大

2400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

36nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

995A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

37nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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